使通过变压器的电流包络更缓慢上升-卖FXCG黄金期货

时间:2025-02-26 19:55 / 来源:未知

　　使通过变压器的电流包络更缓慢上升-卖FXCG黄金期货正在高压或低压输入下开机(包罗轻载，重载，容性负载)，输出短途，动态负载，高温等景况下，通过(和开合管)的电流呈非线性伸长，当显示此局面时，电流的峰值无法预知及驾驭，或许导致电流过应力和所以而爆发的开合管过压而损坏。

　　容易爆发饱和的景况：1）变压器感量太大；2）圈数太少；3）变压器的饱和电流点比IC的最大限流点小；4）没有软启动。

　　处分措施：1）低重IC的限流点；2）加紧软启动，使通过变压器的电流包络更舒徐上升。

　　最阴毒条款(最高输入电压，负载最大，处境温度最高，电源启动或短途测试)下，Vds的最大值不应超出额定例格的90%

　　a. 减小漏感：变压器漏感正在开合管开通时存储能量是爆发这个尖峰电压的厉重来因，减小漏感能够减小尖峰电压。

　　b. 调动罗致电途：①应用TVS管；②应用较慢速的二极管，其自己能够罗致必定的能量(尖峰)；③插入阻尼电阻能够使得波形特别滑腻，利于减小EMI。

　　1）内部的MOSFET损耗太大：开合损耗太大，变压器的寄生电容太大，酿成MOSFET的开通、合断电流与Vds的交叉面积大。处分措施：增进变压器绕组的间隔，以减小层间电容，好像绕组分众层绕制时，层间参加一层绝缘胶带(层间绝缘) 。

　　2）散热不良：IC的很大一个别热量依赖引脚导到PCB及其上的铜箔，应尽量增进铜箔的面积并上更众的焊锡

　　3）IC周遭气氛温度太高：IC应处于气氛活动畅顺的地方，应远离零件温度太高的零件。

　　处分措施：增进Vcc绕组圈数，减小Vcc限流电阻，合适加上假负载。即使增进Vcc绕组圈数，减小Vcc限流电阻后，重载时Vcc变得太高，请参照平静Vcc的措施。

　　1）Vcc正在重载时过高重载时，Vcc绕组感受电压较高,使Vcc过高并抵达IC的OVP点时，将触发IC的过压护卫，惹起无输出。即使电压进一步升高，超出IC的秉承才略，IC将会损坏。

　　a.限流点太低重载、容性负载时，即使限流点太低，流过MOSFET的电流被节制而亏空，使得输出亏空。处分措施是增大限流脚电阻，提升限流点。

　　b.电流上升斜率太大上升斜率太大，电流的峰值会更大，容易触发内部限流护卫。处分措施是正在不使变压器饱和的条件下提升感量。

　　局面：Vcc正在空载、轻载时亏空。这种景况会酿成空载、轻载时输入功率过高，输出纹波过大。

　　输入功率过高的来因是，Vcc亏空时，IC进入屡屡启动形态，屡次的须要高压给Vcc电容充电，酿成起动电途损耗。即使启动脚与高压间串有电阻，此时电阻上功耗将较大，因此启动电阻的功率等第要足够。

　　电源IC未进入Burst Mode或曾经进入Burst Mode，但Burst 频率太高，开合次数太众，开合损耗过大。

　　来因：输出短途时，反复脉冲众，同时开合管电流峰值很大，酿成输入功率太大过大的开合管电流正在漏感上存储过大的能量，开合管合断时惹起Vds高。

　　a. 触发反应脚的OCP；b. 开合举措停顿；c. Vcc消重到IC紧闭电压；d. Vcc从新上升到IC启动电压，而从新启动。

　　这种方法爆发时，节制可占空比，依赖Vcc消重到UVLO下限而停顿开合举措，而Vcc消重的工夫较长，即开合举措支柱较长工夫，输入功率将较大。

　　a. 触发内部限流，占空比受限；b. Vcc消重到IC紧闭电压；c. 开合举措停顿；d. Vcc从新上升到IC启动电压，而从新启动。

　　处分措施：1）节减电流脉冲数，使输出短途时触发反应脚的OCP，能够使开合举措速速停顿作事，电流脉冲数将变少。这意味着短途爆发时，反应脚的电压该当更速的上升。因此反应脚的电容不成太大；

　　来因：Vcc亏空时，正在启动电压(如12V)和合断电压(如8V)之间振荡IC正在周期较长的间罢工作，短工夫供给能量到输出，接着停顿作事较长的工夫，使得电容存储的能量亏空以支柱输出平静，输出电压将会消重。

　　局面：Burst Mode时，间罢工作的频率太低，此频率太低，输出电容的能量不行支柱平静。

　　处分措施：正在知足待机功耗条件的条款下稍微提升间罢工作的频率，增大输出电容。

　　局面：轻载可以启动，启动后也可以加重载，不过重载或大容性负载景况下不行启动。

　　平常计划条件：无论重载仍旧容性负载(如10000uF)，输入电压最低仍旧最低，20mS内，输出电压务必上升到平静值。

　　按规格条件，务必有足够的能量使输出正在20mS内上升到平静的输出电压(如5V)。

　　以芯片FSQ0170RNA为比如图所示，暗影个别总面积S便是所需的能量。要增进面积S，措施是：

　　1）增大峰值电流限流点I_limit，可应许流过更大电感电流Id：将与Pin4贯串的电阻增大，从内部电流源Ifb分流更小，使行为电流节制参考电压的PWM较量器正输入端的电压将上升，即应许更大的电畅通过MOSFET/变压器，能够供给更大的能量。

　　2）启动时，增进通报能量的工夫，即耽误Vfb的上升工夫(达到OCP护卫点前)。

　　对这款FSQ0170RNA芯片，电感电流驾驭是以Vfb为参考电压的，Vfb电压的波形与电感电流的包络成正比。驾驭Vfb的上升工夫即可驾驭电感包络的上升工夫，即增进通报能量的工夫。

　　IC的OCP成效是检测Vfb抵达Vsd(如6V)实行的。因此要低重Vfb斜率，就能够耽误Vfb的上升工夫。

　　输出电压未抵达寻常值时，即使反应脚电压Vfb曾经上升到护卫点，通报能量工夫不足。重载、容性负载启动时，输出电压设置较慢，加到光耦电压较低，通过光耦二极管的电流小，光耦光敏管高阻态(趋势合断)的工夫较长。IC内部电流源给与反应脚贯串的电容充电较速，即使Vfb正在这段工夫内上升到护卫点(如6V)，MOSFET将合断。输出不行抵达寻常值，启动挫折。

　　使输出电压抵达寻常值时，反应脚电压Vfb如故小于护卫点。使Vfb远离护卫点而舒徐上升，或耽误反应脚Vfb上升到护卫点的工夫，即低重Vfb的上升斜率，使输出有足够的工夫上升到寻常值。

　　A.增大反应电容(C9)，能够将Vfb的上升斜率低重，如图所示，由D线造成A线。不过反应电容太大会影响寻常作事形态，低重反应速率，使输出纹波变大。因此此电容不行改变太大。

　　B.因为A要领有亏空，将一个电容(C7)串同稳压管(D6，3.3V)并联到反应脚。此法不会影响寻常作事，如B线所示，当Vfb

　　1）增进反应脚电容(囊括稳压管串电容)，对处分超大容性负载题目效用较小；

　　2）增大峰值电流限流点I_limit，同时也增进了稳态下的OCP点。须要正在容性负载，输入最低景况下查抄变压器是否会饱和；

　　3）即使要坚持限流点，须使R10×C11更大，但正在超大容性负载(10000uF)景况下，或许会增进5Vsb的上升工夫超出20mS，此法须要查抄动态反映是否受太大影响；

　　5）为了包管上升工夫，增大OCP点和增大R10×C11要领或许要同时应用。

　　局面：正在输出空载或轻载时，紧闭输入电压，输出(如5V)或许会显示如下图所示的电压反跳的波形。

　　来因：输入合掉时，5V输出将会消重，Vcc也随着消重，IC停顿作事，不过空载或轻载时，浩大的PC电源大电容电压并不行急迅消重，如故可以给高压启动脚供给较大的电流使得IC从新启动，5V又从新输出，反跳。

　　处分要领：正在启动脚串入较大的限流电阻，使得大电容电压消重到如故较量高的功夫也亏空以供给足够的启动电流给IC。

　　将启动接到整流桥前,启动不受大电容电压影响。输入电压合断时，启动脚电压可以速速消重。